Ø 基本情况：

孙志梅，女，教授，博士生导师，2002年3月于中国科学院金属研究所获得博士学位，2002-2007年先后在德国亚琛工业大学和瑞典Uppsala大学从事研究工作，2007-2013年在厦门大学伟德国际1946官方网任职教授、博士生导师，2013年8月至今在伟德国际1946官方网伟德国际1946官方网任职教授、博士生导师。长期从事材料电子结构计算和分子动力学模拟研究及相关实验，在半导体材料和高温结构材料等研究中取得了显著成绩，在PRL、PNAS、JACS等期刊上发表SCI论文260余篇，被SCI引用10000余次；论文被Nature作为Research Highlights介绍，被Nature Materials在News & Views栏目介绍；出版专著《先进材料的计算与设计》（科学出版社），授权8项国家发明专利，获批软件著作权13项。

入选国家级领军人才、福建省高校领军人才、教育部新世纪优秀人才；获得国家级与省部级青年基金；主持国家重点研发计划《材料基因工程关键技术与支撑平台》重点项目等多项国家和省部级项目。担任工业和信息化部产业发展促进中心“材料基因工程关键技术与支撑平台”专项分委员会专家委员、中国材料研究学会计算材料学分委员会第三届委员会委员、中国材料与实验团体标准委员会材料基因工程领域委员会委员、《伟德国际1946官方网学报》第五届编委会副主编、IET Nanodielectrics等国际期刊editor、中国材料研究学会材料基因组分委会委员、副秘书长等。

获得北京市三八红旗奖章、全国三八红旗手、国务院政府特殊津贴专家等多项荣誉。

Ø 主讲课程：

研究生课程：《材料电子结构计算及原子尺度模拟》

本科生课程：《材料基因导论》

Ø 研究方向：

（1）先进材料的人工智能研究

（2）计算材料学

（3）半导体材料

（4）高性能结构材料

Ø 教学科研成果：

发明专利：

（1）周健，宁兴洋，孙志梅，一种MXene基复合材料及其制备方法和应用，授权公告日：2022.09.30，专利号：ZL 202111280832.X

（2）周健；李强；孙志梅，一种电池材料及其制备方法，授权公告日：2021.11.09，专利号：ZL 202010598371.X

（3）周健，刘宾，孙志梅，一种钇掺杂碲化锑相变材料的制备方法，授权公告日：2019.01.01, 专利号：ZL 201810066767.2

（4）周健，刘宾，孙志梅，于亚东，李开旗，一种钪掺杂碲化锑相变材料的水热制备方法，授权公告日：2019.03.12, 专利号：ZL 201810392777.5

（5）周健，孙志梅，王晓青，一种高钠掺杂碲化铅的制备方法，授权公告日：2019.03.29, 专利号：ZL 201711468614.2

（6）孙志梅，丁宗财，周健，一种GeTe微晶的制备方法，授权公告日：2015.02.04，专利号：ZL 201310487911.7

（7）孙志梅,潘元春,周健,萨百晟，一种Ge-Sb-Te三元相变材料薄膜的制备方法，授权公告日：2015.05.13，专利号：ZL 201210058804.8

（8）孙志梅,曾舒,苏忠亮,周健, 一种Cr2AlC颗粒增强Zn基复合材料及其制备方法, 授权公告日：2015.04.22，专利号：ZL 201310488066.5

代表性论文：

[1] Yu Gan, Naihua Miao*, Penghua Lan, Jian Zhou, Stephen R. Elliott, Zhimei Sun*, Robust Design of High-Performance Optoelectronic Chalcogenide Crystals from High-Throughput Computation, J. Am. Chem. Soc., 2022, 144: 5878−5886

[2] Yongda Huang, Jian Zhou, Guanjie Wang, Zhimei Sun*, Abnormally strong electron-phonon scattering induced unprecedented reduction in lattice thermal conductivity of two-dimensional Nb2C, J. Am. Chem. Soc. 2019, 141:8503−8508

[3] Naihua Miao, Bin Xu, Linggang Zhu, Jian Zhou, Zhimei Sun*, 2D Intrinsic Ferromagnets from van der Waals Antiferromagnets, J. Am. Chem. Soc. 2018, 140: 2417−2420

[4] Naihua Miao, Bin Xu, Nicholas C. Bristowe, Jian Zhou, Zhimei Sun*, Tunable Magnetism and Extraordinary Sunlight Absorbance in Indium Triphosphide Monolayer, J. Am. Chem. Soc. 2017, 139: 11125−11131

[5] Zhimei Sun*, Jian Zhou, Ho-Kwang Mao*, Rajeev Ahuja, Peierls distortion mediated reversible phase transition in GeTe under pressure, Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 2012,109(16):5948-5952

[6] Baisheng Sa, Jian Zhou, Zhimei Sun*, Junji Tominaga, Rajeev Ahuja, Topological Insulating in GeTe/Sb2Te3 Phase-Change Superlattice, Phys. Rev. Lett., 2012,109(9):096802

[7] Zhimei Sun*, Jian Zhou, Yuanchun Pan, Zhitang Song, Ho-Kwang Mao, Rajeev Ahuja, Pressure-induced reversible amorphization and an amorphous-amorphous transition in Ge2Sb2Te5 phase-change memory material, Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 2011,108(26):10410-10414

[8] Zhimei Sun*, Jian Zhou, A Blomqvist, B Johansson, Rajeev Ahuja, Formation of large voids in the amorphous phase-change memory Ge2Sb2Te5 alloy, Phys. Rev. Lett.,2009,102(7):075504

[9] Zhimei Sun*, Jian Zhou, Rajeev Ahuja, Unique melting behavior in phase-change materials for reversible data storage, Phys. Rev. Lett., 2007,98(5): 055505, Highlighted by NATURE (Nature 445, 687, 2007)

[10] Zhimei Sun*, Jian Zhou, Rajeev Ahuja, Structure of phase change materials for data storage, Phys. Rev. Lett., 2006,96(5): 055507